認識背照式CMOS 堆疊式CMOS 背照堆疊式CMOS 前照式CMOS

 

市面上數位相機的 CMOS 影像感測器有數種類型,例如: 傳統 CMOS、背照式 CMOS、堆疊式 CMOS、背照堆疊式 CMOS,它們用在哪裡? 各有什麼優缺點呢? 

 

這是不少攝友們共同的疑問,許多民眾閱讀到 CMOS 規格總是看過卻不懂。如果你有相同狀況,請一定要閱讀這篇精華介紹。

 


為方便各位讀者檢索閱讀,本文將分成多個部份說明 (現在支援文章內跳躍,請點擊目錄小標直接切換段落/Part): 

 

[目錄,請點擊]

#1 前照式 CMOS (傳統 CMOS) 與背照式 CMOS

#2 堆疊式 CMOS

#3 背照堆疊式 CMOS

#4 EOS R5 與 SONY A1 的比較,前照式 CMOS vs 堆疊式CMOS

#5 結論

 

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#1 前照式 CMOS (傳統CMOS) 與背照式 CMOS

 

Pixnet-1376-001 stacked cmos sensor 10 - 複製 _结果.jpg

 

#1 前照式 CMOS(傳統CMOS)與背照式CMOS的起源

 

CMOS image sensor,是在 1993 年由美國科學家 Eric Fossum 與 NASA JPL 團隊共同開發的一種感測元件。當時的研發主要目的是為了取代 CCD 影像感測器,製作出縮小款的太空船相機系統。

 

下圖是 CMOS 影像感測器的構造,也稱為 FSI CMOS 感光元件(Front-side illuminated CMOS、前照式 CMOS、正面照射 CMOS)。 (日文: 表面照射型撮像素子)

 

其運作方式,為光線通過晶片上微透鏡(on-chip lens) 與彩色濾光片(color filter) 後,還要穿越金屬布線層(metal wiring)、接收光線的表面,才能到達真正接受光線的光電二極體基板(photo-dildo)。

 

由於光線必須穿過這麼多層才能被偵測到,因此會有很大的光損失。

 

為什麼? 主要是金屬布線層為不透明的,光只能從縫隙間透過去。還有,部份光子甚至會在金屬線路層上反彈,導致影像品質降低。

 

Pixnet-1376-013 stacked cmos sensor 08 - 複製 _结果.jpg

(以上圖片為 Cmglee 作品,CC BY-SA 4.0)

 

背照式 CMOS image sensor (Back-illuminated CMOS 或 BSI-CMOS) 的發明可以追溯到 2000 年代初期,當時索尼公司的一組研究人員率先提出這個概念。

 

不過,商業化 BSI-CMOS 影像感測器之濫觴始於 2008 年,當年索尼公司推出世界上第一款 BSI-CMOS 影像感測器的商用產品,並同時開啟了 SONY Exmor R 系列。(日文: 裏面照射型撮像素子)

 

下圖是背照式 CMOS 影像感測器的構造。它與 FSI CMOS 最明顯的差異,在於金屬布線層與光電二極體層對調了位置。

 

BSI CMOS 和 FSI CMOS 在技術上大致相同,只是光讀取之順序有差別。

 

在 BSI 感光元件中,光線通過晶片微透鏡、彩色濾鏡、接收光線的表面,就直接進入捕捉光線的光電二極體基板。將光轉換為電信號的所有金屬線路與電路,則位於相機感光元件的背面。

 

假設所有條件相等的情況下,BSI CMOS 能接收的光線會比 FSI CMOS 更多。

 

為什麼? 主要是 BSI CMOS 構造之光接收已擺脫金屬布線層之影響,最多 100% 光線都可被光電二極體基板接收到。

 

從半導體晶片製造的角度來看,背照式 CMOS 擁有比 FSI CMOS 更多的金屬布線層。當金屬布線層越複雜,製造時間便越長。同時也會增加布線失敗等問題的機率,因此每平方面積的產量較低。

 

在 2008 年以前,CMOS 影像感測器只有一種前照式構造,所以不用特別區分便知道是指那一種。但 BSI CMOS 影像感測器出現後,原來的 CMOS 會被加註為 FSI CMOS 或傳統 CMOS,以方便區別兩者的不同。

 

Pixnet-1376-012 stacked cmos sensor 08 _结果.jpg

(以上圖片為 Cmglee 作品,CC BY-SA 4.0)

 

BSI CMOS 的優點:

(1)捕捉更多光線

BSI 感光元件可以捕捉多達 100% 的光線,而 FSI 感光元件通常只能捕捉 30%至80% 的光線 (因為金屬接線層會擋光)。 


(2)降噪
搭載 BSI CMOS 的相機可以使用比 FSI CMOS 相機更高的 ISO 值,且產生的噪點較少。

 

(3)更快的信號傳輸和錄影能力
使用 BSI CMOS 技術的相機,通常能支援更快的 AF 系統和更好的連拍速度。

 

(4)更好的低光性能
搭載 BSI 感光元件的相機,數字噪點水平顯著改善。 

 

BSI 感光元件的缺點?

 

(1)製造複雜度高
BSI CMOS 製造過程複雜,無法在單一自下而上的裝配線中完成。新的製造流程涉及兩層矽基板,工廠需要在裝配所有元件後,將第一層矽層變薄以提高感光度。

 

(2)增加成本
將 BSI 感測器的其中一個矽層變薄,將導致製造的良率變低,因為損壞機會變高了。而且生產線必須重新設計,以納入 BSI CMOS 之專屬製程,種種原因讓 BSI CMOS 感測器的生產成本比較高昂。 

 

Pixnet-1376-002 stacked cmos sensor 09 _结果.jpg

(以上圖片來自 SONY)

 

 

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#2 堆疊式 CMOS

 

傳統 CMOS 感光元件捕捉影像,需要透過電路板匯流排,將全部數據傳輸到影像處理器。

 

這種設計在追求高速連拍時將形成通訊瓶頸,由於捕捉和傳輸過程需要較長時間,便影響了前端感光元件的讀取效能。

 

Pixnet-1376-006 stacked cmos sensor 01 _结果.jpg

 

為了讓數位相機感光元件讀取速度更快,相機製造商添加了一個內建信號處理單元的記憶層。

 

這種設計稱為 Stacked CMOS 或堆疊式 CMOS 影像感測器。

 

整合式記憶體和信號處理單元被連接到感光元件上,扮演感光元件和影像處理器之間的緩衝區角色。

 

由於它直接連接到感光元件,因此能用最快速度捕捉與傳輸所有資料,此時感光元件的讀取速度顯著提高了。 

 

Pixnet-1376-014 Pixnet-1376-013 stacked cmos sensor 08 - 複製  - 複製 _结果.jpg

 

簡單說,堆疊式 CMOS 晶片比 BSI CMOS 更先進。

 

開發者將元件以類似 BSI CMOS 方式排列,但設計時把影像信號處理器及超快速 DRAM 記憶體堆疊在同一個矽晶片中,這使得讀取效能變超快。

 

Pixnet-1376-008 stacked cmos sensor 03 _结果.jpg

 

堆疊式 CMOS image sensor 的發展也要歸功於索尼公司。在 2012 年,SONY 推出世界第一款堆疊式 CMOS 影像感測器,並形成 Exmor RS 系列。(日文: 積層型CMOSイメージセンサー「Exmor RS」)

 

Pixnet-1376-015 stacked cmos sensor 12 _结果.jpg

堆疊式 CMOS 影像感測器應用廣泛,在數位相機、智慧型手機,和其他眾多消費電子產品中都可以看到。

 

全世界第一款主流的堆疊式 CMOS 相機,是 2017 年發表的 Sony A9,它提供一種不間斷的拍攝體驗,拍攝者可以在不失去場景視野的情況下,以 20 fps 的速度拍攝照片。

 

2021 年的 SONY A1 也搭載了 Exmor RS 堆疊式 CMOS (50.1 MP)。

 

根據 TechInsights 的報告,NIKON Z 9 (2021/10 發表) 搭載的 45.7 百萬像素堆疊式 CMOS,是由 Sony Semiconductor 製造的 IMX609AQJ。以 Z 9 為基礎的 NIKON Z 8 (2023/5 發表),兩者感測器性能相仿,基本上是同一顆堆疊式 CMOS。

 

Pixnet-1376-016 stacked cmos sensor 13 _结果.jpg

 

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#3 背照堆疊式 CMOS

 

CANON EOS R3 上市時,是以佳能自家設計 back-illuminated,stacked (=背照堆疊式) 來說明他們家的影像感測器。


這款感光元件將電路設計放在背面,而非前面,以便收集更多光線,減少噪點。

 

兩層電路被"堆疊"在一起,因此可提高感光元件向影像引擎傳送數據的速度。這種速度實現了 30 fps 的連拍 (連續 AF 和 AE),還能讓相機每秒檢查對焦 60 次。 

 

Pixnet-1376-009 stacked cmos sensor 07 _结果.jpg

 

若看過第二節的說明,我們就會知道,在結構上只有基於 BSI CMOS 的設計,才有辦法提供第二層堆疊。需要第一個金屬接線層連接到第二個金屬接線層。

 

Pixnet-1376-014 Pixnet-1376-013 stacked cmos sensor 08 - 複製  - 複製 _结果.jpg

 

所以,「背照堆疊式 CMOS」實際上就是「堆疊式 CMOS」。 

 

但背照堆疊式 CMOS 之用法並沒有錯誤,可視為 CANON 對他們家 CMOS 的行銷用法。這一方面是宣揚亮點,另一方面也有教育的作用。 恐怕有不少民眾沒意識到,堆疊式 CMOS 其實是由 BSI CMOS 衍生而來的

 

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#4 EOS R5 與 SONY A1的比較,前照式 CMOS(傳統CMOS) vs 堆疊式CMOS

 

The New Camera (TNC) 網站曾經做了一次特稿,比較了 EOS R5 (FSI CMOS) 與 SONY A1 (BSI CMOS)。 

 

Pixnet-1376-003 stacked cmos sensor 04 _结果.jpg

 

Stacked CMOS 與 FSI CMOS 實際相比會出現什麼結果?

 

Pixnet-1376-004 stacked cmos sensor 05 _结果.jpg

 

較量結果出乎意料! 參考網站上的 ISO 12800/RAW 輸出樣本,採用 Stacked CMOS (Exmor RS) 的 SONY A1 並沒有明顯優勢,反而是 CANON EOS R5 略勝一籌!

 

對此結果有疑問的,請你直接上 TNC 踢館。 

 

Pixnet-1376-005 stacked cmos sensor 06 _结果.jpg


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#5 結論

 

CMOS (FSI CMOS) 仍是當今數位相機的主流與大宗選項。

 

使用搭載 BSI CMOS 感測器的相機,可以提高讀出速度並改善低光成像品質。

 

堆疊式 CMOS 晶片則進一步推動了速度的極限,它不僅擁有 BSI CMOS 的低光性能,並再次提高相機的處理速度,且幾乎不受滾動快門(rolling shutter 或果凍效應)的影響。堆疊式 CMOS 晶片已成為一種"豪華指標",旗艦或高階機身都會使用。

 

不過,CMOS (FSI CMOS)是否真的表現不堪入目? 其實未必! 高級器材確實可以幫助拍攝,但決不是拍出好照片的攸關因素。

 

NEW! 延伸閱讀SONY最新 Exmor T CMOS image sensor【世界首款具備雙層電晶體像素技術的堆疊式影像感測器】 

 

Pixnet-1376-011 stacked cmos sensor 10 _结果.jpg

 


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(來源: NIKON,Canon,CR Canon Rumors,TNC The New Camera,CW Canon Watch,Nokishita & Digicame-info & PetaPixel,Nikkei Asian,Photorumors,BCN,SankeiBiz........網路訊息)

(資料來源: The New Camera、dpr、SA - SONYaddict,SAR - SONYalpharumors,SR - SONY Rumors,YMCM Y.M.CINEMA MAGAZINE,とるなら~写真道楽道中記~,Kunkoku) 


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